场效应管与双极性晶体管的比较

场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，mosfet 功率，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。

场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。

场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。

场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型mos管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。

测试方法：

结型场管脚识别

场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电场效应管极。

将万用表置于r×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，mosfet 保护电路，均为数kω时，则这两个管脚为漏极d和源极s（可互换），余下的一个管脚即为栅极g。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。

判定栅极：用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，mosfet，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很大，说明均是反向电阻，mosfet 串联，该管属于n沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。

注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。

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