组成

fet由各种半导体构成，目前硅是常见的。大部分的fet是由传统块体半导体制造技术制造，使用单晶半导体硅片作为反应区，或者沟道。

大部分的不常见体材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中，或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体，常常用有机栅绝缘体和电极。。。。。。。。。。。。

测量方法：

电阻法测电极

根据场效应管的pn结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个

电极。具体方法：将万用表拨在r×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极d和源极s。因为对结型场效应管而言，mosfet 击穿，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极g。

型号命名：

有两种命名方法。

第1种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母j代表结型场效应管，mosfet，o代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，d是p型硅，反型层是n沟道；c是n型硅p沟道。例如，mosfet 保护，3dj6d是结型p沟道场效应三极管，3do6c是绝缘栅型n沟道场效应三极管。

第二种命名方法是cs××#，mosfet 保护电路，cs代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如cs14a、cs45g等。

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