电极所有的fet都有栅极（gate）、漏极（drain）、源极（source）三个端，分别大致对应bjt的基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。除jfet以外，所有的fet也有第四端，被称为体（body）、基（base）、块体（bulk）或衬底（substrate）。这个第四端可以将晶体管调制至运行；在电路设计中，很少让体端发挥大的作用，mosfet供应商，但是当物理设计一个集成电路的时候，它的存在就是重要的。在图中栅极的长度（length）l，是指源和漏的距离。宽度（width）是指晶体管的范围，在图中和横截面垂直。通常情况下宽度比长度大得多。长度1微米的栅极限制z、高频率约为5ghz，0.2微米则是约30ghz。这些端的名称和它们的功能有关。栅极可以被认为是控制一个物理栅的开关。这个栅极可以通过制造或者消1除源极和漏极之间的沟道，从而允许或者阻碍电子流过。如果受一个加上的电压影响，电子流将从源极流向漏极。体很简单的就是指栅、漏、源极所在的半导体的块体。通常体端和一个电路中z高或z低的电压相连，根据类型不同而不同。体端和源极有时连在一起，因为有时源也连在电路中z高或z低的电压上。当然有时一些电路中fet并没有这样的结构，比如级联传输电路和串叠式电路。

3：场效应管电流ids与栅极ugs之间的关系由跨导gm 决定，晶体管电流ic与ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，mosfet，场效应管的放大能力用gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。

4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。

5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。

（10）用25w电烙铁焊接时应迅速，若用45～75w电烙铁焊接，应用镊子夹住管脚根部以帮助散热。结型场效应管可用表电阻档定性地检查管子的质量（检查各pn结的正反向电阻及漏源之间的电阻值），而绝缘栅场效管不能用万用表检查，必须用测试仪，而且要在接入测试仪后才能去掉各电极短路线。取下时，则应先短路再取下，关键在于避免栅极悬空。

在要求输入阻抗较高的场合使用时，必须采取防潮措施，以免由于温度影响使场效应管的输入电阻降低。如果用四引线的场效应管，其衬底引线应接地。陶瓷封装的芝麻管有光敏特性，应注意避光使用。

对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。

总之，确保场效应管安全使用，mosfet驱动器，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，mosfet 场效应管，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。

mosfet_苏州硅能半导体1_mosfet供应商由苏州硅能半导体科技股份有限公司提供。mosfet_苏州硅能半导体1_mosfet供应商是苏州硅能半导体科技股份有限公司（www.sil）今年全新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取新的信息，联系人：夏经理。